第104章 碳基之辩

极挑战时的焦灼与无力。

“所以，我们需要引入全新的‘诱导’机制。”陈羽墨的声音带着一种不容置疑的穿透力。他调出另一组动态模拟图，“请看，基于对碳纳米管生长机理的深层物理理解，结合对晶格应力的精密计算，我们可以设计一种特殊的‘应力场-电场协同诱导’模板。它不再是被动等待碳…”屏幕上，虚拟的碳原子在复杂而精密的力场引导下，如同训练有素的士兵，精准地排列成一根根笔直、且具有所需半导体手性的碳纳米管！“利用中心现有的原子层沉积和纳米压印光刻设备，结合改进的CVD工艺，这套方案具备工程实现的初步可能性。定位精度，理论上可控制在±0.5纳米以内，手性可控率目标大于85%。”

彭院士死死盯着屏幕上那近乎完美的模拟结果，呼吸变得粗重起来。他猛地抬起头，看向陈羽墨，眼神不再是质疑，而是充满了震撼！他喃喃道：“应力场……电场协同……模板诱导……这思路……这需要对材料生长动力学和量子尺度力场有……近乎恐怖的洞察力！小子，你是怎么想到的？！”

陈羽墨没有回答这个问题，他的目光转向一直沉默、但眼神锐利如鹰隼般审视着每一个模拟细节的张教授。

“解决了材料生长，只是第一步。”张教授的声音响起，冷静得像是在分析电路板上的一个故障点，但微微加快的语速暴露了他内心的不平静，“半导体碳纳米管阵列只是‘砖块’。如何用这些‘砖块’搭建出逻辑门——这栋大厦的功能单元，才是真正的考验！”他指向屏幕，瞬间调出了计划书中提到的“新型碳基场效应晶体管”的初步概念图。“硅基FET，我们研究了几十年，工艺成熟，物理模型清晰。但碳基呢？它的载流子迁移率理论极高，但如何实现有效、稳定、低功耗的栅极调控？界面态陷阱、接触电阻、特别是不同碳管之间的互连问题——这些在硅基上看似‘常规’的问题，在碳基纳米尺度下，每一个都足以让整个器件失效！”

张教授的问题直指核心，充满了工程师面对未知领域的务实和担忧。“还有，就算单个器件做出来，如何设计电路？现有的EDA工具是基于硅基模型开发的！碳基器件的物理特性完全不同，驱动电压、开关特性、噪声容限……所有参数都要推倒重来！没有成熟的设计工具，没有验证模型，我们难道要用手工画版图吗？这效率，别说180天，1800天都未必够！”

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面对张教授连珠炮般的犀利

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