第510章 无法跳跃的光刻机迭代

4nm，这个技术就是著名的浸润式光刻技术，它使arf光刻水平进一步提高：通过投影物镜下方和晶圆间充满水，由于水的折射率和玻璃接近（在193nm波长中，折射率空气=1，水=1.44，玻璃约为1.5），从投影物镜射出的光进入水介质后，折射角较小，光可以正常从物镜中折射出来。arf光源加浸润技术实际等效的波长为193nm/1.44=134nm。

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这一充满天才构想的技术突破，使得130nm后的广泛现代化制程得以实现，最先进制程甚至可以提升至7nm的水平（当然在这样极限制程下良品率远远比不过euv光刻机）。这一代光刻机，是目前主世界使用最广泛、最具代表性的一代。从第三代奔腾4开始，绝大部分cpu、gpu和内存颗粒芯片的生产，都是由这一代光刻机完成的。在任重的主世界中，这也是目前东大方面能掌握的最强制程技术。

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然而，挑战并未就此止步。第五代光刻机，以euv为光源，波长缩短至13.5nm，使用的是极紫外光技术。这一技术革新，使得制程节点可以达到14nm到3nm水平，是当前市场上最为先进的产品之一。在主世界中，它被誉为最强的光刻机，广泛应用于最新的cpu和gpu的生产中。这一技术的出现，不仅推动了半导体制造业的又一次飞跃，更为未来的科技发展奠定了坚实的基础。面对如此艰巨的任务，任重深知，如果按部就班去突破，恐怕对于亮剑世界的东大来说有些走弯路了。

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g-line光源虽然说实现上面更加符合亮剑世界的技术背景，不过i-line光源来说，这多少有点重复研发的意思，所以在接下来的光刻机演变中，任重决定从技术上直接挑战i-line光源的第二代光刻机，这个技术路线最终能够冲击到0.25微米的极限，生产奔腾iii这样现代化的cpu，在这个水平上，基本可以实现任重构想中网络时代需要的多媒体展现的性能要求。

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不过这样一来，技术难度就直线上去了。

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现代化的芯片制造工艺，不说晶圆生产，仅仅是芯片制造就包括了初步氧化、涂光刻胶、曝光、显影、刻蚀、离子注入等多个复杂的工艺流程。

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