穿越亮剑搞军工
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第510章 无法跳跃的光刻机迭代

4nm,这个技术就是著名的浸润式光刻技术,它使arf光刻水平进一步提高:通过投影物镜下方和晶圆间充满水,由于水的折射率和玻璃接近(在193nm波长中,折射率空气=1,水=1.44,玻璃约为1.5),从投影物镜射出的光进入水介质后,折射角较小,光可以正常从物镜中折射出来。arf光源加浸润技术实际等效的波长为193nm/1.44=134nm。

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这一充满天才构想的技术突破,使得130nm后的广泛现代化制程得以实现,最先进制程甚至可以提升至7nm的水平(当然在这样极限制程下良品率远远比不过euv光刻机)。这一代光刻机,是目前主世界使用最广泛、最具代表性的一代。从第三代奔腾4开始,绝大部分cpu、gpu和内存颗粒芯片的生产,都是由这一代光刻机完成的。在任重的主世界中,这也是目前东大方面能掌握的最强制程技术。

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然而,挑战并未就此止步。第五代光刻机,以euv为光源,波长缩短至13.5nm,使用的是极紫外光技术。这一技术革新,使得制程节点可以达到14nm到3nm水平,是当前市场上最为先进的产品之一。在主世界中,它被誉为最强的光刻机,广泛应用于最新的cpu和gpu的生产中。这一技术的出现,不仅推动了半导体制造业的又一次飞跃,更为未来的科技发展奠定了坚实的基础。面对如此艰巨的任务,任重深知,如果按部就班去突破,恐怕对于亮剑世界的东大来说有些走弯路了。

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g-line光源虽然说实现上面更加符合亮剑世界的技术背景,不过i-line光源来说,这多少有点重复研发的意思,所以在接下来的光刻机演变中,任重决定从技术上直接挑战i-line光源的第二代光刻机,这个技术路线最终能够冲击到0.25微米的极限,生产奔腾iii这样现代化的cpu,在这个水平上,基本可以实现任重构想中网络时代需要的多媒体展现的性能要求。

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不过这样一来,技术难度就直线上去了。

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现代化的芯片制造工艺,不说晶圆生产,仅仅是芯片制造就包括了初步氧化、涂光刻胶、曝光、显影、刻蚀、离子注入等多个复杂的工艺流程。

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