第1621章 从40nm到27nm的跨越

所以常院士，刚才你提到华芯国际能以MPP工艺大批量生产新一代的7nm芯片，关键就在于这个1.80的NA值？”

常浩南点头：“正是。”

接着，又从旁边拿过一张表格递给对方：

“1.80的数值孔径，相当于我们把193nmDUV光源的等效波长压缩到了107.22nm，对比NA值1.35的老体系，相当于把特征尺寸的理论极限从40nm一举推进到27nm左右！”

栾文杰的视线表格上飞速移动，最终找到了27nm对应的节点尺寸——

三星的5nm，或TSMC的7nm++，或英特尔的10nm。

总之，已经是目前最强的一档。

是过去一般认为，只有EUV光刻机才能够涉足的领域。

看到对方的视线已经不再移动，常浩南终于给出了阶段性的结论：

“这个能力，足以覆盖当前TSMC、三星等厂商定义的7nm，乃至未来3-5年内可能出现的更先进节点的全部生产需求！而且，都是依靠单次曝光工艺就能稳定实现的。”

“更重要的是，ArF-1800光刻机的主体架构，除了这个革命性的物镜组以外，其余光源系统、精密工件台、掩模台以及对准器等核心子系统，都沿用了ArF-1500平台上的成熟设计，最大程度地保证了设备的可靠性用户的转产速度。”

说到这里他稍作停顿，让栾文杰有些缓冲的时间。

之后，又掷地有声地强调：

“这意味着，一旦设备交付，华芯国际能够在最短时间内完成产线切换和产能爬坡，无需漫长的调试和适应期，供应链的每一个环节，从材料、设计到制造，都牢牢掌握在我们自己手中，稳定、安全、可控！”

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