学霸的军工科研系统
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第1608章 两手准备

参观结束,一行人来到基地顶楼一间安保级别极高的专用会议室。

厚重的隔音门关闭,只剩下核心的几人。

短暂的沉默后,常浩南端起茶杯抿了一口,放下,目光直接投向吴明翰。

“吴院士,抛开继续优化多重曝光和分辨率增强技术这条路不谈,在现有的193nmArF光源条件下,要想提升单次曝光的分辨率,还有没有更直接的技术路径?”

手握负折射材料这么个王炸,那最根本的解决方案当然是走向表面等离子体光刻,由携带高频信息的倏逝波取代低频的传输波成像,直接掘了当前半导体生产体系的祖坟。

但这种事情相当于从零开始盖高楼,连理论基础都要重新来过,显然不是一朝一夕能完成的。

所以为了应对眼前随时可能出现的危机,最好还是能在现有基础上,整出来点短平快的升级手段。

吴明翰一直在思索常浩南的真正目的,但这个问题实在普通,深究不出什么东西来。

只好照常回答:

“在相同波长的光源下,不同型号光刻机,比如我们现在用的NXT:1950i和ASML更先进的NXT:2000i,它们性能差异的核心指标还是数值孔径(NA)和工艺系数。”

他拿起激光笔,在桌面投射出一个简易的光路示意图:

“NA值,简单说,决定了光学系统收集和汇聚光线的能力,这个项越高,理论上能达到的分辨率极限就越小。”

激光笔的光点停留在象征物镜的透镜组位置:

“具体来说,NA等于底镜、浸没液和光刻胶三者折射率(n)的乘积,再乘以孔径角半角的正弦值,当然光刻胶和孔径角的设计自由度有限,所以主要是另外两项的材料。”

“我们目前使用的NXT:1950i,是氟化钙底镜,配合2G系列的浸没液,NA最高能达到1.35左右,更先进的NXT:2000i,底镜是性能更好的氟化锂钡,浸没液也是优化的3G系列,能把NA推高到1.45左右。”

吴明翰放下激光笔,看向常浩南:

“不过,这基本就是传统技术路线的极限了。”

常浩南一直专注地听着,此刻微微皱起了眉:“浸没液这块我不熟悉,不过……底镜为什么不能用折射率更高的材料?”

紧接着又补充了一个更详细的数字:“我记得……镥铝石榴石的折射率能接近1.9?”

这是

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