计算可靠性。”
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“在这一点上,无论是光量子技术路线还是超导量子技术路线都绕不开这个核心难题。”
“即便是构建出极低温与几乎无干扰的环境,那也只是通过外部手段来进行优化,实际上并没有真正的解决这个问题。”
“而无极拓扑量子芯片做到了真正意义上的室温运行、抗干扰性强、退相干时间长等等优势。”
话音刚落,潘建伟院士就像是几十年前在学校课堂上课一样,举起了右手开口提问道。
“我想知道你是怎么解决拓扑量子理论在模特绝缘体中的运用这个问题的?”
听到这个问题,徐川笑了笑,站起身从办公室的角落中拖出来一面黑板,开口道:“这其实很简单。”
从笔篓中拾起了记号笔后,他在黑板上继续写道:“二维状态下强关联电子效应形成的拓扑绝缘体效应由手征陈数来刻画该体系的拓扑性质。”
“即C±=±[sgn(M)+sgn(?B)]/2,其中M和B是相关参数。”
“而在二维绝缘体系统中,霍尔电导可以表示为一个陈数拓扑不变量,从而能够精确地描述实验结果的量子化特性。”
“所以简单的来说,整数量子霍尔效应中的霍尔电导由被填充朗道能级的陈数之和决定,因此呈现量子化的数值。”
看着黑板上的计算公式,潘建伟院士下意识的皱起了眉头,艰难的思索理解了好一会后才开口道:“但是如果我没记错的话拓扑序量子相变的普适性问题至今都没有解决?”
停顿了一下,他似乎又有点不确定的补了两个字。
“好像?”
闻言,徐川轻轻的笑了笑,道:“这个问题早在五年前我就已经解决了,只是相关的论文并没有对外公开而已。”
“五年前?”
听到这个回答,潘建伟院士顿时就懵了。
徐川点点头,笑道:“是的,还记得强关联电子体系的统一框架理论吗?你说的这些问题,在当时就已经解决了,只是因为干涉重大,所以没对外公开而已。”
听到这个问题后,潘建伟顿时就陷入了怀疑人生中。
强关联电子体系的统一框架理论的报告会他虽然没有参加,毕竟那个时候他正在带队攻克九章光量子计算机。
但相关的论文他肯定是看过的,而且还反复的研究过。
毕竟强关
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