第一六六七章 浸没式光刻机面世

光刻机技术低GCA一代，要面子的美国人不会打压，但一旦超过GCA，极有可能面临制裁。

全球光刻机行业被193nm波长的世界性难题挡住近十年，但对BSEC来说就是一个千载难遇的发展机遇，不然很难赶上GCA、Nikon、ASML和Canon。

如今全球5家光刻机公司GCA、Nikon、ASML、Canon和BSEC虽然都只能生产90nm制程工艺的光刻机，但技术实力还是有很大的差距。

2001年12月，EUV LLC项目结束，成功解决了EUV光刻机的光学系统（多层膜反射镜）和光源（激光等离子体技术）等核心难题，为GCA后续商业化奠定了技术基础。

2002年1月，GCA EUC光刻机股份公司成立，注册资本金50亿美元，13.5nm波长的EUV激光器一旦成功，研发成功EUV光刻机只是时间问题，光刻机光源就没有了技术瓶颈，光刻机的发展一马平川，GCA被业界公认一枝独秀。

Nikon和Canon投入巨资研发157nm激光器，到如今还没有消息。

2001年6月，ASML投资10亿美元并购SVG后，SVG拥有157nm激光的反折射镜头技术，ASML的技术实力大增，研发157nm激光器的同时，2002年8月，采纳林本坚博士提出的“浸润原理”，投入巨资，同台积电合作，联合开发浸没式光刻机。

ASML采用两条腿走路。

ASML拥有全球第二款双工作台系统，技术实力仅次于GCA和Nikon，一旦研发成功134nm波长的浸没式光刻机，技术实力就会超过Nikon。

虽然浸入式光刻机的构思非常巧妙，但同EUC光刻机相比，从工程角度看，并不难完成，

邓国辉和钱富强都担心ASML赶在BSEC的前面发布研发成功浸没式光刻机，但一想到孙董事长旗下公司是ASML的第二大股东，就放下心来。

5月28日，GCA EUV光刻机公司对外公开宣布，经过二年多的潜心研发，EUV光刻机的核心部件EUV激光器研制成功，并通过专家组的鉴定，并申请了国际发明专利，并向媒体展示了一台EUV激光器和一台EUV光刻机原型机。

EUV激光器获取EUV光源的办法是将二氧化碳激光照射在锡等靶材上，激发出13.5nm的光子，作为光刻机光源。

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