密引进浸润式光刻机,推动自主芯片产业的发展。
……
将齐舟一行人送到预定好的酒店,埃里克便迫不及待地返回公司。
“埃里克,齐提供的资料,确实很有想法。”
研发部的负责人德莱斯拿着那份文件,兴奋的迎了上来。
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“哦,具体说说看。”
埃里克对此也很期待,但他不是技术人员,对文件的内容不是很理解。
“简单来说,研究EUV光刻机,首先遇到的难题是光源的功率和稳定性……”
德莱斯翻开文件,指着其中一项内容解释道。
顾名思义,EUV光刻机使用的是极紫外光,并且需要的是能产生波长13.5纳米的极紫外光。
目前可以采用激光轰击液态锡靶产生等离子体的方式生成EUV光。
但能量转化效率极低,仅有约0.02%的激光能量能转化为可用的EUV光。
想要实现量产,则要求光源功率达到250瓦以上,并且必须保持稳定,否则会导致曝光剂量不均,影响芯片良率。
齐舟提供的解决办法是,通过优化激光参数、锡滴相关参数以及反光镜周围的气体环境来提高光源功率。
这一点,以德莱斯为首的研发人员其实都知道。
但文件中所提到的,将锡滴体积减半,减少锡滴管消耗及椭球反光镜污染的办法,在他们看来却是极其大胆。
同时齐舟还提示,需要降低更换频率,同时保证每次激光轰击产生的EUV能量不降低。
再通过调整二氧化碳激光功率、氢气流量和压力等参数,找到最佳组合,防止反光镜雾化,提高光源稳定性。
这个办法,让德莱斯眼睛大亮,虽然还没开始验证,但心中已经有所预感。
按照这样的步骤实验下去,或许真的可以实现。
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