型,另一种则是非门型,两者主要的差别在于存储单元阵列的拓扑结构是串联还是并联的。
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从技术背景来看,逻辑门电路是基于电可擦写可编程只读存储器结构的闪存,擦写均通过隧穿效应实现。
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浮栅技术用隧穿效应,而电荷俘获技术在使用超薄氧化层,也会应用氧化层直接隧穿,在氧化层与氮化层复合介质层产生隧穿效应。
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而非门型则是基于可擦除可编程只读存储器结构的闪存,擦除也采用隧穿效应实现,写入则采用了沟道热电子诸如方式。
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逻辑门电路闪存具有成本优势,所以主要用于数据的存储,而非门型闪存则是因为计算机执行程序方法的特性,主要用于代码的存储。
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王多鱼飞快地来到了哈工大存储器项目办公室,见到了早已等候多时的奚广安等人。
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“快快快,让我看看.”
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对于这样的新技术,王多鱼比任何人都要着急,因为这是哈工大能否在存储器领域,跟东芝公司、英特尔等巨头争锋的关键。
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“王教授,在这里”
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奚广安将他们实验室研发出来的逻辑门电路闪存技术,逐一演示给王多鱼看。
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后者看完之后,确认了所有的技术,当即便宣布道:
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“恭喜你们,奚老师,你们辛苦了,我之前许诺给你们的项目奖金,明天就会下发到你们手上”
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“同时我会跟书记他们申请,给你们举办一次内部嘉奖大会,存储器项目和光盘存储器项目集体成员都参加”
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此话一出,整个实验室掌声雷鸣,大家都激动坏了。
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盼星星盼月亮,王多鱼总算是盼
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