第七百八十六章 台积电的噩梦开始

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“是！”

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尼康投入到了火热的激情之中，去走一条注定无法成功的道路了，而在台积电，也是一片欢腾。

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“成功了，成功了！”技术人员拿着刚刚刻蚀好的晶圆，甚至还来不及裁切和封装，就向蒋尚义报喜去了：“我们成功地刻蚀出来了0.18微米的电路！”

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“太好了，立刻召开新闻发布会，我们要向全世界公布这个好消息！”

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半个小时之后，大批的记者来到了台积电的总部，在宽大的会议室里，蒋尚义举起了手里的晶圆，浪费一片没什么，再说了，这一片是注定要送到台积电的展览室里，封存到玻璃橱窗里，供人参观的。

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记者的照相机不停地放射出来闪光，咔嚓，咔嚓！

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“大家都看到了吧？这就是我们刚刚刻蚀完成的晶圆，这片晶圆上，gate length，也就是上面每一个mos晶体管的源和漏的距离达到了0.18微米！这是整个西方世界，第一次造出如此小的晶体管来！”

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说芯片工艺，总会提到这个数字，但是代表的含义，普通人并不清楚，甚至很多资料上都说，这是芯片内部电路线的宽度，实际上，这些表述都不准确。

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现代的芯片上，都是mos晶体管，这个工艺制程，指的就是两极的间距，截止到97年之前，都成立。

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之后……随着工艺的提升，叫法也就改变了，在后世，英特尔费尽心思，捣鼓出来了10纳米的工艺，再看看台积电，已经成功量产7纳米工艺多年了。

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实际上，这完全就是台积电在命名上动的手脚，这种英特尔的10纳米工艺，和台积电的7纳米完全就是等价的。

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当芯片开始在面积上发展不下去之后，就会在纵向发展，搞什么堆叠工艺，这个时候，原

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