第528章 后事

到90nm到65nm的新水平。

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接下来就必须改变思路走浸润式技术路线，引入水作为折射媒质才能获得更短波长，arf光源加浸润技术实际等效的波长为193nm/1.44=134nm，这样才能在这个波长下直接获得65nm加工精度。

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在这个基础上通过多次折射改进，arf光刻机可以用于从45nm到10/7nm的工艺，但其极限就在7nm节点无法再进一步。

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在这个之上的光刻机精度提升必须采用新的euv极紫外光源，euv光刻机使用波长为13.5nm的极紫外光才可以达到5nm/3nm甚至到1nm的水平。

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对于这些新技术来说，要在工程上做出来，中间就必须要克服很多基础理论才行。

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在这方面，任重一个文科生，就是给资料都完全看不懂了。

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按照任重的设想，科学院要做的工作就是分析不同光源生产的机制，从理论上去寻找到248波长，193波长这些特殊光源的发生原理，理论上先突破后，从而在工程院去找到实现这些理论是实践和工程化工厂化技术研究。

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这是已知的技术路线方面，在任重的认知来说，硅基芯片的极限后，人类的算力从何处破局，这需要从一个全新的方向继续去研究。

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按照主世界的理论探索，碳化硅芯片、量子芯片这两个全新领域，就是主世界人类突破硅基芯片算力瓶颈的两大方向。虽然现在主世界在这些方面探索掌握的知识还不多，离这两大技术路线开始实现实用化的芯片还有很长距离。

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但是从现在发展趋势来说，人类从这两个方向走通的概率非常大。

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毕竟硅基算力模式现在基本证明了尽头，碳化硅和量子通讯则人类都没有看到第一步实用的机会。

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对于这样的理论和技术攻关，任重希

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