第483章 八月新机,横扫全场

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徐申学在上头各种吹嘘s903芯片，身后的大屏幕上也出现了众多s903芯片的ppt介绍，这一吹，足足吹了接近十五分钟。

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如果加上之前的对七纳米工艺长达十分钟的介绍和吹嘘，光是介绍七纳米工艺和s903芯片，徐申学就用了二十五分钟！

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介绍了s903芯片之后，徐申学又道：“当然，一台手机要想获得顶级的性能，除了最核心的soc芯片外，也需要最顶级的内存芯片以及闪存芯片来提供支持！”

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“而在新款的s18max手机上，我们一如既往的采用了最顶级的储存芯片！”

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“s18max上的内存芯片采用的是智云储存最新一代的lpddr4x芯片，采用了当代最顶级的10b2工艺制造，其速率达到4266mhz的，速度带宽达到了三十四gb/s！”

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“而这样的顶级内存，我们将会在s18 max上部署8gb！”

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这个内存芯片里的10b2，就是去年的10b工艺的升级版，区别不是很大，真实半金属间隔都是十六纳米，有的只是一些小幅度升级，不过这些小细节就没必要拿出来说了。

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至于更进一步的10c，这东西用目前的duv浸润式光刻机没法搞，成本太贵了，只能等euv光刻机才能上马10c工艺了。

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“闪存芯片上，今年我们的s18max，将会采用智云第六代闪存芯片，堆迭层数达到一百三十八层，最大容量达到了512gb！”

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“七纳米工艺的s903芯片，10b2工艺的lpddr4x内存芯片，第六代的闪存芯片！”

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“当这三种最顶级的芯片结合到一起，它们之间就发生了奇妙的反应，最后迸发出来了迄今为止，人类历史上性能最为强悍的手机：s18 max！”

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