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但即便如此,也需要很长时间去研发。
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星逸半导体今年下半年量产28纳米工艺,再去研发20纳米工艺,最快也得后年年初实现20纳米量产,到时候三星已经量产了14纳米,星逸科技还是落后一大代。
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相反,只有跳过20纳米节点,直接冲刺更先进的14纳米工艺,才有可能缩短差距,在2015年追上三星、台积电,达到第一梯队!
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而且20纳米节点,真不算多么重要,不过是过渡节点而已,跳过了就跳过了。
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之前台积电跳过了32纳米工艺,现在星逸科技跳过20纳米也没什么,过渡节点而已。
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不过这事王逸没和胡老直言,还是让胡老先集中精力,把28纳米工艺的良品率提升到85%以上,实现量产再说。
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上一次流片,请专家团来见证星逸科技实现40纳米工艺,结果出了泄密事件。
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这一次流片,王逸没有请任何人,连管委会都没有请。
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这让杨教授有些坐不住,完全搞不清楚星逸科技的进展。
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面对高通的再三逼迫,也拿不出任何有价值的情报。
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对此,高通董事长雅各布很是愤怒:
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“都五月份了,星逸科技今年的旗舰芯片什么规格,我们还一无所知?”
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“明年的旗舰芯片用什么架构?研发到什么地步?还没查清楚?”
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副总裁一时语塞:“目前还没有相关情报。”
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“废物,都是废物!”雅各布越发气愤,只感到心累:
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