第980章 真正意义上的降维打击！

就是采用的最基础的迭层技术而完成的。

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现在却突然冒出了三维立体碳纳米管阵列技术，这不由的让所有人都直接懵逼了。

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就连英特尔的总裁帕特·格尔辛格都情不自禁的咽了口唾沫，喃喃自语的说道。

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“这怎么可能！？”

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“这不可能！我不相信。”

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不由自主地将心中的震撼宣泄了出来，脸上写满震撼的格尔辛格呆滞的看着大屏上的对比图，忽然打了个激灵后回过神来，脸上的表情从震撼快速的转变成难看。

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如果说这是真的，那么对于英特尔来说，乃至对于整个硅基半导体工业领域来说都将是一场‘真正’的灾难。

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虽然说因为结构和制造工艺使得硅基芯片内部具有三维特性，但通常芯片中起关键作用的器件位于芯片的正面，也就是立方体的一个表面。

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像finfet、gaa等技术都是基于这个表面，对器件做了三维处理，成功改善了器件在低尺寸范围内的性能。

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而所谓的3d堆迭则通常是将多个芯片平行迭加，可以理解为将包含器件的表面平行放置。

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毕竟如果说将立方体的六个面全部进行工艺制作，即部分包含器件的表面是垂直或以一定角度放置，会存在性能不均、工艺难、可靠性差、成本高等一系列问题。

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但从从性能上讲，晶体立方体的不同面，会因为晶体结构、晶体制作工艺，存在不同的表面状态，会导致同一种器件在不同表面出现不同的性能。

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这就意味着三维化的碳基芯片，无论是在电路设计还是性能、亦或者是功能性上都会远超出二维平面的硅基芯片。

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对于硅基芯片来说，这毫无疑问是一场真

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