第965章 ；碳基芯片的突破

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利用成品的衬底去对其进行晶体管集成化，形成可以进行逻辑运算的碳基晶体管才是核心目标。

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因此，材料研究所这边联合了华威的海思、中芯国际、北大的碳基电子学研究中心的等芯片领域的企业和高校，共同推进这一项目。

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国内在顶尖的低纳米硅基芯片上虽然有所不足，但是次级芯片上的研发制备上是有着完整体系的。

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海思在芯片设计领域的设计能力，中芯国际的完整工艺制造能力，北大碳基电子研究中心的碳芯研究，再加上星海研究院的碳基衬底和高密度碳纳米管排列技术。

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一套近乎完整的碳基芯片研发、设计、制备、生产流程就这样拼凑出来了。

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而在年初的时候，他们顺利的制备出来了集成了数百万枚‘mosfet金属-氧化物半导体场效应晶体管’和‘jfet结型场效应管’的半成品碳基芯片。

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不过这距离完整的碳基芯片还有很长的一段路要走。

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徐川本来以为这可能还需要至少一年左右的时间才能做到，没想到这才仅仅半年过去，他们就将完整的碳基芯片给弄出来了。

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这个效率，的确有些惊人啊。

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电话对面，赵光贵笑着开口说道：“主要是华威海思和中芯国际那边的人给力，这半年多以来，对面的研发人员全都泡在这个项目上了，几乎二十四小时不离开实验大楼。”

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听到这个回答，徐川也笑了笑。华威海思和中芯国际那边的人给力是很正常的事情，在芯片领域，国内的高科技企业一直都处于被打压的地位。

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苦于米国佬的政策，最近几年国外的半导体厂商越来越肆意妄为的控制高端和尖端产品与技术，已经开始完全不讲规矩了。

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在这方面，国内苦

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