第505章 堆叠技术

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因为通过芯片堆叠技术，公司同样能够实现接近7纳米芯片的性能水平。

在芯片领域，国内已经摆脱了被技术掐脖子的困境。

他的加入为团队解决了最为棘手的芯片结构设计难题，使得后续的工作对于孟玉竹及其团队成员而言，不再是困难问题。

然而他们并未能立即着手进行验证，因为江辰紧接着提出了新的研究课题，芯片堆叠技术。

这项技术通过巧妙地将多个芯片分层组合，不仅能够实现性能的大幅提升，还能显着减小体积并降低能耗。

在微处理器的应用领域，芯片堆叠技术展现出了极高的有效性，其诸多优势与实际应用场景需求高度契合。

芯片堆叠技术根据实现方式的不同，大致可以分为几种类型，封装堆叠、芯片堆叠与键合、硅通孔技术以及直接混合键合。

高通公司最近宣布在28纳米芯片技术上取得突破，所采用的正是最为常见的封装堆叠技术。

这种技术产出的芯片在移动设备中得到了广泛应用。

因其技术相对简单，就算某个封装体不合格也可以进行直接更换，良品率相较于其他技术更高，有利于大规模生产和应用。

然而封装堆叠技术也并非完美无缺。

由于堆叠的芯片尺寸相对较大，且信号路径较长，这导致其在电气特性上表现略逊于芯片堆叠技术。

第二种芯片堆叠技术，具体而言是将多个芯片集成并封装在一个统一的封装体内部。

这些芯片可以根据实际需求进行垂直堆叠，或者采用水平接连的方式，与电路板实现连接。

这种堆叠方式在需要缩小封装尺寸时尤为有效，因为通过垂直堆叠，可以使得内部电信号的传输路径相对缩短，从而显着提升整体性能。

然而这种技术也伴随着一个显着的缺点。

由于多个芯片被封装在一起，一旦其中任何一个芯片存在缺陷，整个封装体都将无法正常工作，进而导致整个产品报废。

因此这种技术的良品率相对较低，对生产过程中的质量控制提出了极高的要求。

至于第三种技术硅通孔芯片叠层封装，则采用了一种更为复杂的连接方式。

它通过在芯片上钻取微小的孔洞，并填充金属导电材料，以实现芯片之间的垂直互连。

这种技术被归类为晶圆级封装技术，其工艺难度和精度要求都非常高，需要先进的生产设备和技术支持

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